[发明专利]一种半导体用镀铜添加剂有效
| 申请号： | 201911381062.0 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111118558B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘晓霞;邹文涛;鲁文锋;解伟;徐波 | 申请（专利权）人： | 江苏赛夫特半导体材料检测技术有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D7/12 |
| 代理公司： | 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙) 31333 | 代理人： | 汤俊明 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及电镀领域，具体涉及一种半导体用镀铜添加剂。所述添加剂的制备原料至少包括A组分；按质量浓度计，所述A组分包括10～60g/L聚乙二醇、0.01～1g/L铜盐、1～10g/L无机酸以及超纯水。本发明制备的半导体用镀铜添加剂，可以避免在含有宽度40～80nm、深度150～250nm沟道表面电镀时产生的空穴、缝隙，可有效提高微孔填充效率，降低工作时间，同时减小镀层厚度；可以提高铜沉积速率，避免大量堆积，细化晶粒的同时提高电镀效率；可以减少沟道表面电镀时产生的空穴，同时避免镀层表面局部凸起。生产过程相对简单，反应条件常温常压，生产过程三废排放较少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 镀铜 添加剂 | ||
【主权项】：
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