[发明专利]一种碳化硅涂层沉积炉温度场的数字孪生控制方法在审
| 申请号： | 201911377703.5 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111061318A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 彭雨晴;信吉平 | 申请（专利权）人： | 清华大学无锡应用技术研究院 |
| 主分类号： | G05D23/20 | 分类号： | G05D23/20;C04B41/00;C04B41/50;C04B41/87 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云;黄莹 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅涂层沉积炉温度场的数字孪生控制方法，包括以下步骤：（1）将沉积炉的炉内空间划分成多个控制区域，并在各控制区域内分别安装温度传感器；（2）采集各控制区域内的温度传感器检测到的各控制区域的实际温度值并传送给数字孪生设备；（3）计算出各控制区域的实际温度值与各控制区域的理论温度值之间的差值；（4）根据差值对各控制区域进行温度补偿。本发明利用数字孪生技术，对沉积炉内空间分区域建造数字孪生模型，达到生产时，分区域实时监控沉积炉内温度，通过对采集的实际温度与理论数据融合，得到误差补偿结果，以此进行分区域温度补偿，解决了沉积炉内温度场分布均匀性差的问题，获得高质量的碳化硅涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 涂层 沉积 炉温 数字 孪生 控制 方法 | ||
【主权项】：
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