[发明专利]集成晶体管器件及形成其的方法

摘要

在一些实施例中，本公开涉及一种集成晶体管器件及形成其的方法，所述集成晶体管器件包含布置在衬底上方的第一势垒层。另外，未掺杂层可以布置在第一势垒层上方且具有横向紧接p沟道器件区的n沟道器件区。未掺杂层的n沟道器件区具有最顶部表面，所述最顶部表面高于未掺杂层的p沟道器件区的最顶部表面。集成晶体管器件可更包括未掺杂层的n沟道器件区上方的第二势垒层。第一栅极电极布置在第二势垒层上方，且第二栅极电极布置在未掺杂层的p沟道器件区上方。本公开提供了防止形成寄生沟道，进而产生可靠的集成晶体管器件。