[发明专利]一种绝缘层掩埋型晶体管结构及器件有效
| 申请号： | 201911343681.0 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111081771B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 黄永锋;殷玉喆;何力;温礼瑞;曾志学;孙德;许苏凌 | 申请（专利权）人： | 成都挚信电子技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 阳佑虹 |
| 地址： | 611730 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种绝缘层掩埋型晶体管结构及器件，包括半导体衬底、源极、栅极以及漏极，所述支撑衬底上方依次生长有所述沟道层、隔离层与势垒层；栅极设置在源极和漏极之间；支撑衬底与沟道层之间设有绝缘层；支撑衬底为与绝缘层生长工艺兼容的衬底；晶体管包括背栅控制极与隔离层；背栅控制极与所述沟道层通过隔离层隔离。本发明的有益效果为有效的阻断了衬底的泄漏，改善/控制栅极、源极以及支撑衬底之间的漏电流，降低了噪声系数；避免了晶格失配材料生长造成晶体皲裂变形、及可靠性下降；而且可以通过背栅控制极控制阈值电压的高低，并进一步减小漏电流的，从而开发出各种新型功能性的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 掩埋 晶体管 结构 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都挚信电子技术有限责任公司，未经成都挚信电子技术有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911343681.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
