[发明专利]电阻式存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201911340598.8 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113097381B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 郑嘉文;王炳琨;陈宜秀;赵鹤轩 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种电阻式存储器装置及其制造方法。电阻式存储器装置包括多个下电极、可变电阻层、多个绝缘图案、通道层与多个上电极。可变电阻层毯覆多个下电极。多个绝缘图案对应多个下电极的位置而设置于可变电阻层上。通道层共形地覆盖可变电阻层与多个绝缘图案。通道层具有多个通道区，位于可变电阻层上且位于多个绝缘图案的侧壁上。各上电极对应一绝缘图案而分别覆盖多个通道区的至少两者，使多个通道区的至少两者位于一下电极与一上电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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