[发明专利]一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法有效
| 申请号： | 201911334860.8 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111128712B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 王波;高灿灿 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法，属于材料表面处理领域。金属辅助化学刻蚀法的基本原理就是在金属颗粒/刻蚀剂/硅中自发的进行原电池反应，其中常用的金属颗粒有Au、Ag、Pt等贵金属材料，本发明主要以Ag为例作说明。以Ag颗粒为阴极发生还原反应，硅片为阳极发生氧化反应。随着反应不断进行，完成硅片抛光。本发明采用Ag颗粒(50nm～1mm)并且在实验中加上搅拌条件，使Ag颗粒和凹凸不平的硅片一起在刻蚀剂中搅拌转动，转动过程中，硅片凸起部分接触到Ag颗粒就会被刻蚀，从而达到抛光的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 辅助 化学 刻蚀 抛光 硅片 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
