[发明专利]一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法

权利要求书

1.一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)清洗硅片；

(2)配制刻蚀溶液：将HF和H₂O₂混合后，配置成刻蚀溶液待用；

(3)称量Ag颗粒；

(4)抛光硅片：将清洗好的硅片和称量好的Ag颗粒同时放入刻蚀溶液中，搅拌溶液带动Ag颗粒和硅片转动，使得Ag颗粒不断碰撞硅片的表面并进行转动，以进行刻蚀反应，达到抛光的目的；

(5)清洗干燥：将刻蚀好的硅片取出放入HNO₃溶液去除表面残留的Ag颗粒，取出后用去离子水冲洗吹干后放入烘箱烘干；

抛光硅片时使用的Ag颗粒尺寸有所变化，最初先使用直径范围在100μm～7mm的Ag颗粒刻蚀硅片最尖端部分，然后在使用直径范围在50μm～100μm的Ag颗粒刻蚀硅片次尖端部分，接着继续减少硅片直径至50nm～50μm范围内，直至硅片尖端被刻蚀，得到光滑的硅片表面。

2.按照权利要求1所述的一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法，其特征在于，

步骤(1)分别将硅片放入甲苯、丙酮、无水乙醇中超声清洗，去除硅片表面油脂；再将硅片放入H₂SO₄和H₂O₂配置的食人鱼溶液中清洗，去除表面残留有机物；然后将硅片放入HF溶液中清洗，去除表面氧化层，用去离子水冲洗后氮气吹干；步骤(1)食人鱼溶液配比时，采用30wt％的H₂O₂溶液和98％的H₂SO₄按1:1-5体积混合；HF溶液质量分数为5％～20％。

3.按照权利要求1所述的一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法，其特征在于，步骤(2)刻蚀溶液中HF和H₂O₂的质量分数分别为10％～20％和1％～5％。

4.按照权利要求1所述的一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法，其特征在于，

步骤(5)HNO₃溶液中HNO₃的质量分数为20％～30％。

5.按照权利要求1所述的一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法，其特征在于，

抛光硅片时，使用数显搅拌器搅拌时的速度在100r/min～700r/min范围内。

6.按照权利要求1-5任一项所述的一种金属辅助化学刻蚀抛光硅片的方法，其特征在于，将Ag颗粒替换为Au、Pt。