[发明专利]晶圆湿制程设备用恒温加热槽在审
| 申请号： | 201911332456.7 | 申请日： | 2019-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN111261551A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王振荣;刘红兵;卢鹏;凌嘉伟 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C25D21/02 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆湿制程设备用恒温加热槽，包括电镀用槽体以及循环加热机构，所述电镀用槽体外四周设有加热外槽，所述电镀用槽体与所述加热外槽之间相互间隔以形成水浴加热空间，所述循环加热机构连通于所述电镀用槽体，所述加热外槽由外界向所述水浴加热空间内通入加热水，所述加热水的温度高于所述电镀用槽体内药液的温度。本发明所提供的晶圆湿制程设备用恒温加热槽，其结构简明，方便操作，通过在现有的电镀用槽体外加设加热外槽，以形成水浴加热形式，可全方位地对电镀用槽体内的药液进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆湿制程设 备用 恒温 加热 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
