[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 201911312888.1 | 申请日： | 2018-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111509099A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 李剡劤;申赞燮;梁明学;李珍雄 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/62;H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人： | 冯志云;李英艳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其包括：半导体叠层体，包括第一导电型半导体层和台面，台面包括活性层和第二导电型半导体层；ZnO层；下绝缘层，覆盖ZnO层和台面，并具有使第一导电型半导体层暴露的开口部和使ZnO层暴露的开口部；第一焊盘金属层，与第一导电型半导体层电接通；第一凸起焊盘，布置于下绝缘层上，并通过下绝缘层的开口部电接通于第一导电型半导体层；以及第二凸起焊盘，布置于下绝缘层上，与第一凸起焊盘在水平方向上隔开，并通过下绝缘层的开口部电接通于ZnO层，下绝缘层的开口部之下的ZnO层的厚度比被下绝缘层覆盖的ZnO层的厚度薄，第一凸起焊盘包括从第二凸起焊盘凸出的区域，第二凸起焊盘包括凹陷的区域，并且形成为包围第一焊盘金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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