[发明专利]钨掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201911298995.3 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111129318A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王海斌;赵春;赵策洲;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钨掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，一种钨掺杂氧化物钙钛矿太阳能电池，包括由下至上依次层叠设置的基底、电子传输层、吸光层、空穴传输层和上电极层；所述基底包括透明玻璃层和下电极层；所述电子传输层为钨掺杂的二氧化钛薄膜。采用低温（100℃）溶液法制备太阳能电池的电子传输层，并且掺杂钨元素来提升电子传输性能，同时在电子传输层和光吸收层中加上一层PCBM进行界面修饰，大大提升了钙钛矿太阳电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化物 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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