[发明专利]一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201911279219.9 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110931570B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 敖金平;王霄;补钰煜;李小波;王婷婷;徐杨 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/285 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 王芳 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明属于微电子技术领域，公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法。包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极，肖特基电极的材料为氮化镍，欧姆电极的材料为钛、铝、镍和金，欧姆电极面积和肖特基电极面积的比值为q， |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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