[发明专利]用于激光溅射阻挡的硅掺杂有效
| 申请号： | 201911243106.3 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN111384159B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | A·O·埃斯皮纳 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L21/223;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本申请案涉及用于激光溅射阻挡的硅掺杂。在一个实施例中，一种半导体装置包含硅层和具有多个半导体装置的电路层。经掺杂硅区形成于所述硅层的上面沉积有所述电路层的前侧上。所述经掺杂硅区定位于所述电路层下方。所述经掺杂硅区具有至少10 |
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| 搜索关键词： | 用于 激光 溅射 阻挡 掺杂 | ||
【主权项】：
暂无信息
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