[发明专利]一种基于自旋织构的存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911234564.0 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112928158A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张文旭;滕钊;曾慧中;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函;霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于自旋织构的存储器，包括基底、铁电层和铁磁层；所述铁电层位于所述基底上；所述铁磁层位于所述铁电层上；所述基底的材料为导电材料，所述铁电层的材料为GeTe、SnTe或HfO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 自旋 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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