[发明专利]一种基于自旋织构的存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911234564.0 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112928158A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张文旭;滕钊;曾慧中;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函;霍淑利 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 自旋 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于自旋织构的存储器，其特征在于，包括基底(1)、铁电层(2)和铁磁层(3)；
所述铁电层(2)位于所述基底(1)上；
所述铁磁层(3)位于所述铁电层(2)上；
所述基底(1)的材料为导电材料，所述铁电层(2)的材料为GeTe、SnTe或HfO2，所述铁磁层(3)的材料为传导电子具有自旋极化的材料。
2.根据权利要求1所述的一种基于自旋织构的存储器，其特征在于，所述基底(1)的材料为掺杂硅。
3.根据权利要求1所述的一种基于自旋织构的存储器，其特征在于，所述铁磁层(3)的材料为坡莫合金、Fe或Co。
4.根据权利要求1所述的一种基于自旋织构的存储器，其特征在于，所述铁电层(2)的厚度为5-200nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于自旋织构的存储器，其特征在于，所述铁磁层(3)的厚度为5-20nm。
6.一种基于自旋织构的存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基底(1)上沉积铁电层(2)；
在铁电层(2)上沉积铁磁层(3)；
所述基底(1)的材料为导电材料，所述铁电层(2)的材料为GeTe、SnTe或HfO2，所述铁磁层(3)的材料为传导电子具有自旋极化的材料。
7.根据权利要求6所述的一种基于自旋织构的存储器的制备方法，其特征在于，所述基底(1)的材料为掺杂硅。
8.根据权利要求6所述的一种基于自旋织构的存储器，其特征在于，所述铁磁层(3)的材料为坡莫合金、Fe或Co。
9.根据权利要求6所述的一种基于自旋织构的存储器的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积的方法沉积所述铁电层(2)和所述铁磁层(3)。
10.根据权利要求6所述的一种基于自旋织构的存储器的制备方法，其特征在于，所述铁电层(2)的厚度为5-200nm；或所述铁磁层(3)的厚度为5-20nm。
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