[发明专利]氮化镓功率模块封装方法及加压装置有效
| 申请号： | 201911226811.2 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111146094B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 魏少伟;袁彪;常青松;宋银矿;汲琳;张磊;连智富;于亮;马鹏;王净;刘爱平;张培庆 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L23/10;H01L21/67 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张贵勤 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓功率模块封装方法及加压装置，属于功率模块封装技术领域，氮化镓功率模块封装方法包括：将密封胶印刷至成型模具的型腔内，将印刷了密封胶的成型模具保持水平状态放入60～90℃的真空烘箱内烘焙15～20min，获得预固化成型胶环；将预固化成型胶环贴装在放置了氮化镓功率模块的封装管壳上，将封装管帽与贴装了预固化成型胶环的封装管壳对齐贴装；将贴装了封装管帽的封装管壳放置于加压装置中，在封装管帽顶面施加向下的压力并保压；将对封装管帽施加了预设压力的加压装置放入120～170℃真空烘箱内烘焙3～5h，使预固化成型胶环进行再固化，获得封装完成的氮化镓功率模块。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 功率 模块 封装 方法 加压 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
