[发明专利]一种封装功率金氧半场效晶体管的陶瓷外壳及其制备方法有效
| 申请号： | 201911226773.0 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111146150B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李明磊;刘林杰;高岭;乔志壮 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/043;H01L21/48 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 柳萌 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种封装功率金氧半场效晶体管的陶瓷外壳及其制备方法，属于陶瓷封装技术领域，包括多层陶瓷板层叠而成的陶瓷件、固接于陶瓷件背面的背面电极、固接于陶瓷件顶面的金属墙体，以及固接于金属墙体顶面的封盖；其中，每层陶瓷板上均印刷有金属埋层，且各金属埋层之间以并联方式导通；陶瓷件上设有内部键合指，内部键合指与金属埋层一体成型，且用于与功率金氧半场效晶体管电连接；背面电极与金属埋层电连接；封盖与金属墙体、陶瓷件共同围成用于容纳功率金氧半场效晶体管的气密腔体。本发明提供的一种封装功率金氧半场效晶体管的陶瓷外壳，导通电阻低，背面电极焊接所需焊接空间小，能够满足功率金氧半场效晶体管的小型化封装要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 功率 半场 晶体管 陶瓷 外壳 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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