[发明专利]一种三维存储器的形成方法及三维存储器在审
| 申请号： | 201911222611.X | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN110676260A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 王冬江 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L27/1159;H01L27/11597 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种三维存储器的形成方法及三维存储器，其中，方法包括：提供一待处理的第一半导体结构，所述第一半导体结构具有在叠层结构内形成的沟道通孔，其中，所述叠层结构包括叠置的介质层和牺牲层；在所述沟道通孔内形成负电容材料层；在所述负电容材料层的表面形成存储功能层和沟道层，在所述叠层结构内形成栅极层，以形成所述三维存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 三维存储器 叠层结构 半导体结构 电容材料 沟道 通孔 存储功能层 表面形成 沟道层 介质层 牺牲层 栅极层 叠置 申请 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一待处理的第一半导体结构，所述第一半导体结构具有在叠层结构内形成的沟道通孔，其中，所述叠层结构包括叠置的介质层和牺牲层；/n在所述沟道通孔内形成负电容材料层；/n在所述负电容材料层的表面形成存储功能层；/n在所述存储功能层的表面形成沟道层；/n刻蚀掉所述牺牲层形成所述刻蚀孔，在所述刻蚀孔内形成栅极层，以形成所述三维存储器。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
