[发明专利]一种三维存储器的形成方法及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一待处理的第一半导体结构，所述第一半导体结构具有在叠层结构内形成的沟道通孔，其中，所述叠层结构包括叠置的介质层和牺牲层；

在所述沟道通孔内形成负电容材料层；

在所述负电容材料层的表面形成存储功能层；

在所述存储功能层的表面形成沟道层；

刻蚀掉所述牺牲层形成所述刻蚀孔，在所述刻蚀孔内形成栅极层，以形成所述三维存储器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述负电容材料层的表面形成存储功能层包括：

在所述负电容材料层的表面形成阻挡层；

在所述阻挡层的表面形成电荷捕获层；及

在所述电荷捕获层的表面形成隧穿层以形成存储功能层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述沟道通孔内形成负电容材料层，包括：

沿所述沟道通孔延伸的方向，在所述沟道通孔的侧壁形成所述负电容材料层。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述负电容材料层包括铁电材料HfZrO。

5.一种三维存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一待处理的第二半导体结构，所述第二半导体结构具有通过刻蚀叠层结构中牺牲层而形成的刻蚀孔；所述叠层结构包括叠置的介质层和牺牲层；

沿所述刻蚀孔延伸的方向，在所述刻蚀孔的侧壁形成所述负电容材料层；

在所述负电容材料层的表面形成所述栅极层，从而形成包围所述栅极层的负电容材料层，以形成所述三维存储器。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在提供的衬底之上沉积形成叠层结构，所述叠层结构包括叠置的介质层和牺牲层；

在所述叠层结构内形成沟道通孔；

在所述沟道通孔内形成存储功能层；

在所述存储功能层的表面形成沟道层；

刻蚀掉所述牺牲层形成所述刻蚀孔。

7.一种三维存储器，其特征在于，包括：

具有叠置的介质层和栅极层的叠层结构；

位于所述叠层结构内部的沟道通孔；

位于所述沟道通孔内的负电容材料层；

位于所述负电容材料层表面的存储功能层；和

位于所述存储功能层表面的沟道层。

8.一种三维存储器，其特征在于，包括：

具有叠置的介质层和栅极层的叠层结构；

位于所述叠层结构内部的沟道通孔；

位于所述叠层结构内用于包围所述栅极层的负电容材料层；

位于所述沟道通孔内的存储功能层；和

位于所述存储功能层表面的沟道层。