[发明专利]三维无结型神经元网络器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201911221410.8 申请日: 2019-12-03
公开(公告)号: CN112909009B 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 肖德元 申请(专利权)人: 芯恩(青岛)集成电路有限公司
主分类号: H01L27/11556 分类号: H01L27/11556;H01L27/11521;G06N3/063
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 266000 山东省青岛市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种三维无结型神经元网络器件及其制作方法,器件包括:衬底,所述衬底的表面形成有堆叠结构,所述堆叠结构包括交替层叠的栅极层及隔离层,所述堆叠结构具有贯穿至所述衬底的沟道孔;权重栅层,形成于所述沟道孔表面,所述权重栅层与沟道孔底部具有间隙;栅介质层,位于所述权重栅层与所述栅极层之间;隧穿介质层,位于所述权重栅层表面;沟道层,填充于所述沟道孔中,所述沟道层与所述衬底接触。本发明采用垂直堆叠的隔离层和栅极层设计,堆叠结构中具有沟道孔阵列,通过在沟道孔中形成垂直分布且全包围栅设计的神经元网络器件串,一方面可提高神经元器件的集成度,另一方面可提高栅极对器件的控制能力。
搜索关键词: 三维 无结型 神经元 网络 器件 及其 制作方法
【主权项】:
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