[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201911219953.6 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111081753A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 梅雪茹;刘念 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/02;H01L21/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本揭示提供一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法，薄膜晶体管包括衬底、栅极层、绝缘层、半导体层、以及源极与漏极，其中，半导体层包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层为非晶氧化物半导体，第二半导体层为多晶氧化物半导体，第二半导体层内的载流子浓度大于第一半导体层内的载流子浓度，并且第二半导体层内含有大量的晶界和缺陷，第二半导体层有效的捕获工作时产生的自由电子，减小漏电流并提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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