[发明专利]接合一对半导体基底的方法在审
| 申请号： | 201911214011.9 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111261501A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张建玮;薛雅仁;李仁铎;张益志;邱义勳;纪元兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开改善晶圆接合效能的方法。在一些实施例中，公开一种用来接合一对半导体基底的方法。此方法包括：对此对半导体基底的至少其中一个进行制程，且将此半导体基底接合在一起。对此对半导体基底中的每一个通过以下步骤进行制程：执行至少一道化学气相沉积(CVD)制程，以及执行至少一道化学机械研磨(CMP)制程。上述至少一道化学气相沉积制程的其中之一是在接合步骤之前、在执行所有化学机械研磨制程之后执行。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 一对 半导体 基底 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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