[发明专利]静电防护结构在审
| 申请号： | 201911207201.8 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885817A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张志伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种静电防护结构。其中，所述静电防护结构包括导电本体和导电凸起，导电本体环绕所需要保护的芯片，且所述导电本体接地，所述导电凸起设置于所述导电本体。本发明通过在所述导电本体上设置导电凸起，即可通过尖端放电的方式有效消除静电，避免电荷在静电防护结构中大量积累，从而确保芯片的稳定性和安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 防护 结构 | ||
【主权项】：
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