[发明专利]具有有机磁阻效应的分子电子器件及其应用有效
| 申请号： | 201911206589.X | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885958B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王冬;丁帅帅;于曦;胡文平 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01L51/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有有机磁阻效应的分子电子器件及其应用，分子电子器件为层状结构，从下至上依次为第一碳层、有机分子层、第二碳层和金层，所述第一碳层中的横截面包括之间形成有间隔的多个平行的第一长方形，所述第二碳层的横截面包括之间形成有间隔的多个平行的第二长方形，所述第一长方形的长度方向与所述第二长方形的长度方向垂直，所述金层的横截面与所述第二碳层的横截面重合。本发明分子电子器件的碳分子结具有有机磁阻现象，在施加磁场后，分子电子器件具有相对于正负磁场高度对称的正磁电阻特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 有机 磁阻 效应 分子 电子器件 及其 应用 | ||
【主权项】：
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