[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201911201634.2 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111261591A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 鄞金木;高弘昭;陈殿豪;陈蕙祺;沈香谷;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L27/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开三维金属‑绝缘体‑金属超高密度(3D‑MIM‑SHD)电容器和半导体装置的制造方法。一种方法包含在半导体基底上方沉积第一介电材料的基础层，以及在基础层中蚀刻出一系列凹槽。一旦将一系列凹槽蚀刻至基础层中，就可以在此系列凹槽中沉积一系列导电层和介电层，以形成由介电层隔开的三维波状导电层堆叠。可以形成第一接触插塞穿过波状堆叠的中间导电层，并且可以形成第二接触插塞穿过波状堆叠的顶部导电层和底部导电层。接触插塞将导电层电耦合至半导体基底的一或多个主动装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
