[发明专利]含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途有效
申请号: | 201911190339.1 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN110853857B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 王金磊;黄清芳;许德钦;刘少伟 | 申请(专利权)人: | 厦门钨业股份有限公司;福建省长汀金龙稀土有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F1/058;H01F41/02;H02K1/02;C22C33/02;C22C38/00;B22F5/00;B22F7/02 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;倪丽红 |
地址: | 361000*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途。含Ho和/或Gd的合金包括以下组分:Ho和/或Gd:29~39wt%,B:0.8~1.2wt%,M:0~6wt%,余量为Fe及不可避免的杂质;M包括Cu、Co、Al、Zr、Nb、Ti、Ga、V、W、Hf、Ta、Mn、Ni、Ge、S和Si元素中的一种或者多种。使用含Ho和/或Gd的合金作为稀土永磁体中的一种主相合金,所制备的稀土永磁体具有低温度敏感性,拓宽了烧结钕铁硼永磁体的应用范围,剩磁温度系数绝对值低至0.0505%,矫顽力温度系数绝对值低至0.382%。 | ||
搜索关键词: | ho gd 合金 稀土 永磁体 原料 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
暂无信息
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