[发明专利]含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途

说明书

本发明公开了一种含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途。含Ho和/或Gd的合金包括以下组分：Ho和/或Gd：29～39wt％，B：0.8～1.2wt％，M：0～6wt％，余量为Fe及不可避免的杂质；M包括Cu、Co、Al、Zr、Nb、Ti、Ga、V、W、Hf、Ta、Mn、Ni、Ge、S和Si元素中的一种或者多种。使用含Ho和/或Gd的合金作为稀土永磁体中的一种主相合金，所制备的稀土永磁体具有低温度敏感性，拓宽了烧结钕铁硼永磁体的应用范围，剩磁温度系数绝对值低至0.0505％，矫顽力温度系数绝对值低至0.382％。

技术领域

本发明涉及含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途。

背景技术

钕铁硼永磁材料以优异的磁性能自发明以来得到快速发展，已经广泛用于精密电子、动力电机及家电医疗等领域，是目前使用量最大的稀土永磁材料。在烧结钕铁硼产业化以来，科技工作者一直在致力于改善永磁体的温度敏感性，例如在烧结钕铁硼磁体中添加一定的Tb、Dy重稀土元素，能显著提高磁体的矫顽力，但Tb、Dy重稀土元素在地壳中储量有限，价格十分昂贵；添加大量的Co虽然能有效提高磁体的居里温度，改善磁体的温度敏感性，但由于在熔炼阶段添加大量Co将导致磁体矫顽力降低，同时Co是战略金素，增加Co含量必然加大生产企业的制造成本。

近年来，双合金工艺广泛应用烧结钕铁硼磁体的生产中，研究表明在晶界处添加重稀土元素，增强主相边界层的各向异性场，可以显著提高磁体的矫顽力。因此，亟需一种可以降低磁体的温度敏感性且提高矫顽力的工艺。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术中稀土永磁体对温度敏感性高的缺陷而提供含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途。

Ho和/或Gd的添加会影响永磁体的Br，现有工艺中可接受的Ho和/或Gd的添加比例不超过10wt％，本发明采用双主相合成法，添加的Ho和/或Gd的比例已经超过或接近20wt％，同时还能保证永磁体的Br不低于10.5kGs。

本发明通过下述技术方案来解决上述技术问题：

本发明提供了一种含Ho和/或Gd的合金，以重量百分比计，其包括以下组分：H：29～39wt％；B：0.8～1.2wt％；M：0～6wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；

所述H包括Ho和/或Gd；

所述M包括Cu、Co、Al、Zr、Nb、Ti、Ga、V、W、Hf、Ta、Mn、Ni、Ge、S和Si元素中的一种或者多种。

本发明中，当所述H包括Ho时，所述Ho的含量范围较佳地为29～35wt％或33～39wt％，例如29wt％、30wt％、33wt％、35wt％或38.6wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比。

本发明中，当所述H包括Gd时，所述Gd的含量范围较佳地为29～39wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比。

本发明中，所述B的含量范围较佳地为0.8～1wt％或0.9～1.2wt％，例如0.8wt％、0.92wt％、1wt％或1.2wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比。

本发明中，所述M的含量范围较佳地为0～3wt％或2～5wt％。

本发明中，所述M的种类较佳地包括Cu、Co、Ga、Zr、Ti、Nb和Al中的一种或多种。

其中，当所述M包括Cu时，所述Cu的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％或0.2～0.5wt％，例如0.1wt％、0.15wt％、0.25wt％或0.35wt％，wt％是指在所述含Ho和/或Gd的合金中的重量百分比。