[发明专利]含Ho和/或Gd的合金、稀土永磁体、原料、制备方法、用途

权利要求书

1.一种稀土永磁体的制备方法，其特征在于，其包括下述步骤：将主相合金A和主相合金B的熔融液分别进行铸造，即得合金片A和合金片B；之后将所述合金片A和所述合金片B的粉末经成型、烧结和热处理，即得所述稀土永磁体；

当所述稀土永磁体的原料还包括金属PrNd或Nd时，所述稀土永磁体的制备方法包括下述步骤：将所述金属PrNd或Nd、所述合金片A和所述合金片B的粉末经成型、烧结和热处理，即得所述稀土永磁体；

其中：

(1)所述主相合金B中，以重量百分比计，其包括以下组分：H1：29～39wt％；B：0.8～1.2wt％；M1：0～6wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；

所述H1为Ho和/或Gd；

所述M1为Cu、Co、Ga、Zr、Ti、Nb和Al；其中：Cu：0.1～0.35wt％，Co：2～3.5wt％，Ga：0.1～0.3wt％，Zr：0～0.2wt％，Nb：0～0.2wt％，Ti：0～0.3wt％；Al：0.1～0.3wt％；

wt％是指在所述主相合金B中的重量百分比；

(2)所述主相合金A中，以重量百分比计，其包括如下组分：

R1：29～31wt％；M2：0～6wt％；B：0.8～1.2wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；

所述R1包括PrNd或Nd；

所述M2为Cu、Co、Ga和Zr；其中：Cu：0.1～0.3wt％，Co：1～1.5wt％，Ga：0.1～0.3wt％，Zr：0.1～0.3wt％；

wt％是指在所述主相合金A中的重量百分比；

(3)所述主相合金A和所述主相合金B的质量比为20：80～40：60；

(4)以重量百分比计，所述稀土永磁体包括如下组分：R2：4～20wt％；H2：17.23～30wt％；B：0.7～1.2wt％；M3：0～6wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；

所述R2包括PrNd或Nd；

所述H2为Ho和/或Gd；

所述M3为Cu、Co、Ga、Zr、Ti、Nb和Al；其中：Cu：0.1～0.5wt％，Co：1.5～3wt％，Ga：0.18～0.3wt％，Zr：0.05～0.2wt％，Nb：0～0.15wt％，Ti：0～0.16wt％；Al：0.05～0.15wt％；

wt％是指在所述稀土永磁体中的重量百分比。

2.如权利要求1所述的稀土永磁体的制备方法，其特征在于，当所述H1包括Ho时，所述Ho的含量范围为29～35wt％或33～39wt％，wt％是指在所述主相合金B中的重量百分比；

和/或，当所述H1包括Gd时，所述Gd的含量范围为29～39wt％，wt％是指在所述主相合金B中的重量百分比；

和/或，所述B的含量范围为0.8～1wt％或0.9～1.2wt％，wt％是指在所述主相合金B中的重量百分比；

和/或，所述M1的含量范围为0～3wt％或2～5wt％，wt％是指在所述主相合金B中的重量百分比；

和/或，所述Zr的含量范围为0wt％或0.2wt％，wt％是指在所述主相合金B中的重量百分比；

和/或，所述Ti的含量范围为0.1～0.3wt％，wt％是指在所述主相合金B中的重量百分比；

和/或，所述Nb的含量范围为0wt％或0.2wt％，wt％是指在所述主相合金B中的重量百分比。