[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911175343.0 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112864247B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 渠汇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一器件区，基底包括衬底以及凸出于衬底的初始鳍部；在初始鳍部露出的衬底上形成隔离结构；在隔离结构和初始鳍部的顶面、以及隔离结构露出的初始鳍部侧壁上形成初始保护层；进行退火处理，使与隔离结构相接触的初始保护层转化成牺牲层，位于初始鳍部的顶面和侧壁上未转化的初始保护层作为保护层；去除第一器件区的牺牲层，露出初始鳍部靠近隔离结构的部分侧壁；初始鳍部由保护层和隔离结构露出的部分作为初始颈鳍部；沿垂直于初始鳍部的延伸方向且垂直于初始颈鳍部侧壁的方向，对第一器件区的初始颈鳍部侧壁进行减薄处理，形成颈鳍部。本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911175343.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于复合材料的水性高耐候涂料及其制备方法
- 下一篇：一种回答问题的方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
