[发明专利]一种半导体先进封测TI蚀刻液在审
| 申请号： | 201911157295.2 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110923716A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王润杰;卢洪庆;陈浩;严増源 | 申请（专利权）人： | 苏州博洋化学股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/38 | 分类号： | C23F1/38 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 王利斌 |
| 地址： | 215151 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于，按照重量份数计算，包括：无机化合物20‑30份，缓冲液1‑5份，表面处理剂1‑5份，强氧化剂10‑20份，缓蚀剂0.1‑1份，稳定剂0.1‑1份，络合添加剂0.0001‑10份，超纯水100‑200份。本发明的有益效果：采用本产品蚀刻后的表面光亮，表面粗糙度Ra值在0.35至0.45之间，表面差异度≤10%，达到进口蚀刻液的所有性能，并且本产品生产成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 先进 ti 蚀刻 | ||
【主权项】：
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