[发明专利]一种半导体先进封测TI蚀刻液

说明书

本发明公开了一种半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于，按照重量份数计算，包括：无机化合物20‑30份，缓冲液1‑5份，表面处理剂1‑5份，强氧化剂10‑20份，缓蚀剂0.1‑1份，稳定剂0.1‑1份，络合添加剂0.0001‑10份，超纯水100‑200份。本发明的有益效果：采用本产品蚀刻后的表面光亮，表面粗糙度Ra值在0.35至0.45之间，表面差异度≤10%，达到进口蚀刻液的所有性能，并且本产品生产成本较低。

技术领域

本发明涉及蚀刻液技术领域，具体为一种半导体先进封测TI蚀刻液。

背景技术

现有技术中的原蚀刻液容易造成侧蚀、破坏光刻胶等现象，对于线宽要求越来越精细的封测行业，已经不能满足；另外双氧水-碱性体系容易发生分解，分解率降低20％左右，单位药液过片量提升10～15％。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体先进封测TI蚀刻液，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于，按照重量份数计算，包括：

优选的，所述无机化合物为20份到30份的氢氧化钾。

优选的，所述缓冲液为1份到5份的磷酸二氢钾。

优选的，所述表面处理剂为1份到5份的氟化铵。

优选的，强氧化剂为10份到20份的双氧水。

优选的，所述缓蚀剂为0.1份到1份的碱性缓蚀剂。

优选的，所述稳定剂为0.1份到1份的铅盐、金属皂、有机锡、有机锑、有机稀土、纯有机化合物中的任意一种。

优选的，所述络合添加剂为0.0001-10份的唑类化合物，可以是二唑、三唑、四唑或者唑类的衍生物，合适的唑类化合物可有效抑制药水对电镀铜层的侧蚀和种子铜层的底切渗蚀，合适的唑类是咪唑、2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、苯并咪唑、6-硝基苯并咪唑、1，2，4-三唑、苯并三氮唑、1H-四唑的一种或两种以上混合。

有益效果

该蚀刻液增加了碱性缓蚀剂，不影响蚀刻速率和效果情况下减少蚀刻中发生的侧蚀，利用碱性缓蚀剂控制蚀刻液pH，保证产品的铜蚀刻速率和蚀刻效果，蚀刻速度由240S提升至180S，而且增加了新型钛蚀刻液稳定剂，因为双氧水+碱性体系钛蚀刻体系容易分解降低药水活性，经过增加新型体系稳定剂增加药水的稳定性，提高药水使用寿命，过片量较传统增加20％，刻液去污能力强，采用本产品蚀刻后的表面光亮，表面粗糙度Ra值在0.35至0.45之间，表面差异度≤10％，达到进口蚀刻液的所有性能，并且本产品生产成本较低。

具体实施方式

以下是本发明的具体实施例，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。

实施例1

一种半导体先进封测TI蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：

实施例2

一种半导体先进封测TI蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：

实施例3

一种半导体先进封测TI蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：

实施例4

一种半导体先进封测TI蚀刻液配方，按照重量份数计算，包括：