[发明专利]一种半导体先进封测TI蚀刻液在审
| 申请号： | 201911157295.2 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110923716A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王润杰;卢洪庆;陈浩;严増源 | 申请（专利权）人： | 苏州博洋化学股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/38 | 分类号： | C23F1/38 |
| 代理公司： | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人： | 王利斌 |
| 地址： | 215151 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 先进 ti 蚀刻 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于，按照重量份数计算，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于：所述无机化合物为20份到30份的氢氧化钾。
3.根据权利要求1所述的半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于：所述缓冲液为1份到5份的磷酸二氢钾。
4.根据权利要求1所述的半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于：所述表面处理剂为1份到5份的氟化铵。
5.根据权利要求1所述的半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于：强氧化剂为10份到20份的双氧水。
6.根据权利要求1所述的半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于：所述缓蚀剂为0.1份到1份的碱性缓蚀剂。
7.根据权利要求1所述的半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于：所述稳定剂为0.1份到1份的铅盐、金属皂、有机锡、有机锑、有机稀土、纯有机化合物中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的半导体先进封测TI蚀刻液配方，其特征在于：所述络合添加剂为0.0001-10份的唑类化合物，可以是二唑、三唑、四唑或者唑类的衍生物，合适的唑类化合物可有效抑制药水对电镀铜层的侧蚀和种子铜层的底切渗蚀，合适的唑类是咪唑、2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、苯并咪唑、6-硝基苯并咪唑、1，2，4-三唑、苯并三氮唑、1H-四唑的一种或两种以上混合。
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