[发明专利]一种钙钛矿薄膜的制备方法及其在太阳能电池中的应用有效

专利信息
申请号: 201911156823.2 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN110854274B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 袁永波;罗师强;蔺云;王继飞 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 代理人: 何方
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种钙钛矿薄膜的制备方法及其在太阳能电池中的应用,本发明基于对含有多组分溶质下卤素钙钛矿晶体形核过程的理解,提出通过调节各组分溶解度的方法控制溶剂化BX2化合物(如PbI2‑DMF,PbI2‑DMSO)及其复合物(如MAI‑PbI2‑DMF,MAI‑PbI2‑DMSO)的偏析结晶,进而实现对溶液中晶种的形核速率、密度及空间分布的调控,得到高结晶质量、晶体取向优化的钙钛矿薄膜;本发明提出了两种具体实施工艺调节钙钛矿偏析结晶过程:1.通过使用AX类添加剂,调控溶剂化铅卤化合物及其复合物的形核速度和密度;2.通过溶液涂膜工艺,控制溶液局部区域的温度、挥发速率,控制溶剂化的BX2化合物及其复合物在不同区域上的偏析结晶,得到结晶性好、形貌均匀的钙钛矿薄膜。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 太阳能电池 中的 应用
【主权项】:
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