[发明专利]包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法在审
| 申请号： | 201911155057.8 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN112397485A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 黄益民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及一种包括电容器的集成电路。所述电容器位于衬底之上且包括第一电极，所述第一电极具有在垂直方向上彼此堆叠的多个第一电极层。所述多个第一电极层分别在多个第一连接区中接触相邻的第一电极层。第二电极包括在垂直方向上彼此堆叠的多个第二电极层。所述多个第二电极层分别在多个第二连接区中接触相邻的第二电极层。所述多个第二电极层分别堆叠在所述多个第一电极层中的相邻的第一电极层之间。电容器介电结构将所述多个第一电极层与所述多个第二电极层分开。还提供一种形成沟槽电容器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电容器 集成电路 形成 沟槽 方法 | ||
【主权项】：
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