[发明专利]使用绝热射频脉冲测量射频B1场分布的磁共振成像方法有效
申请号: | 201911151143.1 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110780249B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 周欣;袁亚平;郭茜旎;孙献平;叶朝辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
主分类号: | G01R33/46 | 分类号: | G01R33/46;G01R33/483;G01R33/54 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人: | 李鹏;王敏锋 |
地址: | 430071 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明公开了使用绝热射频脉冲测量射频B1场分布的磁共振成像方法,包括以下步骤,设计绝热脉冲,设置频率偏置以及绝热脉冲时间;计算绝热脉冲的K值;不施加绝热脉冲采样获得初始磁化矢量大小;分别施加频率偏置为△ω |
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搜索关键词: | 使用 绝热 射频 脉冲 测量 b1 分布 磁共振 成像 方法 | ||
【主权项】:
1.使用绝热射频脉冲测量射频B1场分布的磁共振成像方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤1,设计绝热脉冲,绝热脉冲的起始强度为零,绝热脉冲逐渐增加到最大强度B
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