[发明专利]使用绝热射频脉冲测量射频B1场分布的磁共振成像方法有效

专利信息
申请号: 201911151143.1 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN110780249B 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 周欣;袁亚平;郭茜旎;孙献平;叶朝辉 申请(专利权)人: 中国科学院武汉物理与数学研究所
主分类号: G01R33/46 分类号: G01R33/46;G01R33/483;G01R33/54
代理公司: 武汉宇晨专利事务所 42001 代理人: 李鹏;王敏锋
地址: 430071 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了使用绝热射频脉冲测量射频B1场分布的磁共振成像方法,包括以下步骤,设计绝热脉冲,设置频率偏置以及绝热脉冲时间;计算绝热脉冲的K值;不施加绝热脉冲采样获得初始磁化矢量大小;分别施加频率偏置为△ωrf和‑△ωrf的绝热脉冲以及损毁梯度,采样获得磁化矢量大小Mz1和Mz2;计算B1,obs,计算由于B0场偏移给B1测量带来的偏差。本发明便于计算与分析;通过施加大△ωrf值可以很好的避免B0场偏移对B1测量的影响。
搜索关键词: 使用 绝热 射频 脉冲 测量 b1 分布 磁共振 成像 方法
【主权项】:
1.使用绝热射频脉冲测量射频B1场分布的磁共振成像方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤1,设计绝热脉冲,绝热脉冲的起始强度为零,绝热脉冲逐渐增加到最大强度B
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