[发明专利]使用绝热射频脉冲测量射频B1场分布的磁共振成像方法有效
申请号: | 201911151143.1 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110780249B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 周欣;袁亚平;郭茜旎;孙献平;叶朝辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
主分类号: | G01R33/46 | 分类号: | G01R33/46;G01R33/483;G01R33/54 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人: | 李鹏;王敏锋 |
地址: | 430071 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 绝热 射频 脉冲 测量 b1 分布 磁共振 成像 方法 | ||
本发明公开了使用绝热射频脉冲测量射频B1场分布的磁共振成像方法,包括以下步骤,设计绝热脉冲,设置频率偏置以及绝热脉冲时间;计算绝热脉冲的K值;不施加绝热脉冲采样获得初始磁化矢量大小;分别施加频率偏置为△ωrf和‑△ωrf的绝热脉冲以及损毁梯度,采样获得磁化矢量大小Mz1和Mz2;计算B1,obs,计算由于B0场偏移给B1测量带来的偏差。本发明便于计算与分析;通过施加大△ωrf值可以很好的避免B0场偏移对B1测量的影响。
技术领域
本发明属于核磁共振成像技术领域,尤其是涉及一种使用绝热射频脉冲测量射频B1场分布的磁共振成像方法。该发明适用于测量磁共振成像中表面线圈、体线圈或相位阵列线圈发射时射频B1场在不同组织或样品中的分布,用于图像重建以及B1场校正等。
背景技术
磁共振成像是诊断与评估疾病进展的重要临床方法,具有无电离辐射、非侵入性、高空间分辨率、任意层面成像、组织对比度高等优点,在肿瘤、脏器以及软组织病变等诊断方面具有不可替代的作用。
B1场表示磁共振线圈发射时射频脉冲的强度。磁共振成像中,因为组织不规则结构以及线圈的发射场不均匀,导致射频B1场在空间中呈现不均匀分布。随着目前磁共振谱仪的磁场强度越来越高,射频B1场不均匀问题越发严重。在目前磁共振中常用的并行成像以及化学交换饱和转移(Chemical Exchange Saturation Transfer,CEST)成像等方法中,也需要射频B1场分布进行图像重建和校正。发展测量射频B1场分布的磁共振方法,可以解决以上难题。
B0场表示磁共振成像时空间中某一点感应到的磁场大小,与核自旋频率紧密相关。用B0场偏移频率来表示射频激发时射频频率与核自旋频率的差值。B0场偏移会对B1场分布的测量产生影响,主要体现在B0场偏移较大时,偏共振效应下磁共振信号与B0和B1均有关。因此,测量B1场分布时不能忽略B0场偏移的影响。
现有的测量B1场分布的磁共振方法,主要是基于信号幅度的双翻转角方法,例如,Insko EK等人[Mapping of the radio frequency field.J.Magn.Reson.A.1993.45:p.82-85.]提出的基于不同翻转角的B1场测量方法,以及基于该方法的改进,例如,Cunningham CH等人[Sturated double-angle method for rapid B1+mapping.Magn.Reson.Med.2006.55:p.1326-1333.]中提出的速度更快的基于不同翻转角B1场测量方法。然而,翻转角不同时脉冲的激发波形不是线性的,而且该方法对B0场偏移比较敏感。
Yarnykh VL等人[Actualflip-angle imaging in the pulsed steady state:amethod for rapid three-dimensional mapping of the transmitted radio frequencyfield.Magn.Reson.Med.2007.57:p.192-200.]提出的AFI(Actualflip-angleimaging)方法,利用相同激发角下,两个不同恢复时间TR1和TR2的信号强度的比值来计算B1场分布,该方法速度快,但是,对B0场偏移以及运动比较敏感。
基于信号相位的方法,主要有Sacolick LI等人[B1 mappingby Bloch-Siegertshift.Magn.Reson.Med.2010.63:p.1315-1322.]提出的测量方法,Bloch-Siegertshift的相位变化与B1场平方成正比。相位方法中相位重建比较复杂,而且,可能伴随相位卷折的问题(相位超过360°)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院武汉物理与数学研究所,未经中国科学院武汉物理与数学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911151143.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。