[发明专利]一种温度调控二硫化钼的形貌与缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种温度调控二硫化钼的形貌与缺陷的方法。该方法利用加入10%NaCl的MoO3粉末作为Mo源前驱体，用硫粉作为硫源前驱体，通过化学气相沉积法，生长二维MoS2样品。将生长衬底倒扣在装有Mo源前驱体的石英舟的正上方，在不同的温度加热生长，得到具有不同形貌和边界缺陷密度的二维MoS2样品。在较低生长温度下，由于MoS2的前驱体分子在衬底迁移距离短，生长的MoS2样品为含有较多边界缺陷的雪花状；随着温度的升高MoS2样品的形貌逐渐过渡到树叶状和三角状，边界缺陷也迅速降低。二硫化钼的形貌和缺陷的可控调控对促进其在催化领域的应用有重要的意义。