[发明专利]一种端面耦合器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911135471.2 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110658586A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 孙思维;刘丰满;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/132;G02B6/14;G02B6/24 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电器件领域，具体涉及一种端面耦合器，包括SOI衬底，包括硅衬底以及设置于硅衬底上的埋氧层；氧化硅层，设置在埋氧层与硅衬底相对的一侧；第一波导，其位于端面耦合器的拟耦合波传入的一侧，用于将拟耦合波限定在预定大小的模场内；硅基光波导，位于端面耦合器拟耦合波传出的一侧；以及，第二波导，其用于将被第一波导限定在预定模场内的拟耦合波耦合至硅基光波导内；其中，第一波导、第二波导和硅基光波导均位于氧化硅层内部。本发明提供的端面耦合器具有与光纤耦合效率高、带宽大、工艺难度及成本较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 端面耦合 耦合波 硅基光波导 硅衬底 氧化硅层 埋氧层 光电器件领域 光纤耦合效率 工艺难度 耦合 传入的 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种端面耦合器，其特征在于，包括：/nSOI衬底(1)，包括硅衬底(11)以及设置于所述硅衬底(11)上的埋氧层(12)；/n氧化硅层(2)，设置在所述埋氧层(12)与所述硅衬底(11)相对的一侧；/n第一波导(3)，其位于所述端面耦合器的拟耦合波传入的一侧，用于将所述拟耦合波限定在预定大小的模场内；/n硅基光波导(4)，位于所述端面耦合器拟耦合波传出的一侧；/n以及，第二波导(5)，其用于将被所述第一波导(3)限定在预定模场内的拟耦合波耦合至所述硅基光波导(4)内；/n其中，所述第一波导(3)、第二波导(5)和硅基光波导(4)均位于所述氧化硅层(2)内部。/n
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