[发明专利]一种铁电二极管储存器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911126163.3 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN111146338B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 樊贞;田浚江;赵磊;谭政伟 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铁电二极管储存器，包括依序层叠设置的单晶衬底、氧化物底电极、和BFO铁电薄膜，若干金属电极相互间隔地设置在所述BFO铁电薄膜表面；所述BFO铁电薄膜为外延铁电薄膜；单个所述金属电极的面积小于0.3平方微米；本发明还提供一种铁电二极管储存器的制备方法。相对于现有技术，本发明通过巧妙的结构设计，在BFO外延铁电薄膜表面设置多个金属电极，并且将单个金属电极的面积减小至0.30平方微米以下，实现将单个金属电极的面积设计成微米级以下，获得高储存密度的铁电二极管储存器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 储存器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911126163.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
