[发明专利]纳米孔栅极掺杂制备的常关型HEMT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201911108784.9 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110752258B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李国强;万利军;孙佩椰;阙显沣;姚书南 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/812;H01L21/335;H01L21/338 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米孔栅极掺杂制备的常关型HEMT器件及制备方法，所述器件包括从下到上依次排布的硅衬底、GaN外延层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面具有纳米孔栅结构，纳米孔栅结构掺杂有金属镁，形成p型AlGaN层，AlGaN势垒层上表面的两端接触有源极和漏极，p型AlGaN层的上表面接触有栅极。本发明利用感应耦合等离子体刻蚀机（ICP）对光刻制备的纳米栅电极接触窗口区域进行刻蚀处理形成纳米栅结构，通过掺杂来实现常关型GaN HEMT器件。该制备方法对于抑制电流衰减，实现大饱和电流常关型GaN HEMT器件有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 栅极 掺杂 制备 常关型 hemt 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.纳米孔栅极掺杂制备的常关型的HEMT器件，其特征在于，包括从下到上依次排布的硅衬底、GaN外延层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面具有纳米孔栅结构，纳米孔栅结构掺杂有金属镁，形成p型AlGaN层，AlGaN势垒层上表面的两端接触有源极和漏极，p型AlGaN层的上表面接触有栅极。/n
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