[发明专利]一种静电感应晶闸管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种静电感应晶闸管及其制作方法，涉及半导体技术领域，提供了一种新的静电感应晶闸管的结构，其正面中间为栅极、两侧为阴极，背面为阳极，在其制作过程中，由于裸露在外的P+杂质区域较小，因此杂质自扩散的问题大幅减轻，电阻率的控制更为精准；形成的栅极引出区的纵向结深较深，不需要担心深度不够或者栅极引出区被刻透的问题，刻蚀深度控制难度较低，不容易因此导致器件失效；而且形成的N‑沟道的宽度也较宽，且垂直距离更长，其中的杂质分布也更为均匀，这样的结构将具有更佳的沟道控制能力，更大的电流能力；制作方法难度较低，工艺控制较简单，制作得到的静电感应晶闸管的良品率较高且性能更优。

主权项

1.一种静电感应晶闸管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：/n在N-衬底表面刻蚀形成垂直于表面的栅槽，各个所述栅槽的宽度相同，位于所述N-衬底中间位置的各个栅槽之间间隔第一距离，位于所述N-衬底两侧的其余栅槽之间间隔第二距离，所述第二距离大于所述栅槽的宽度，所述第一距离小于所述栅槽的宽度；/n在所述栅槽中制作P+外延层；/n在所述N-衬底上制作N型外延层，所述N型外延层的浓度高于所述N-衬底；在所述N型外延层上继续生长N-外延层；/n在所述N-衬底背面制作背面P+注入区；/n进行推进使P+杂质发生扩散，各个所述栅槽中的P+外延层分别扩散形成栅区，且位于所述N-衬底中间位置的间隔第一距离的若干个栅槽中的P+外延层扩散并完全融合形成栅极引出区；/n在所述N-外延层上制作N+注入区；/n对所述栅极引出区表面的N+注入区和N-外延层进行刻蚀露出所述栅极引出区；/n在所述N+注入区上制作介质层，并在所述栅极引出区表面以及所述栅极引出区两侧的N+注入区表面刻蚀形成接触孔；/n制作正面金属层并刻蚀形成填满各个接触孔且互相间隔的正面电极，所述栅极引出区通过所述正面电极引出栅极，所述N+注入区通过所述正面电极引出位于所述栅极两侧的阴极源极；/n制作背面电极，所述背面P+注入区通过所述背面电极引出阳极漏极。/n