[发明专利]薄膜晶体管、像素驱动电路和显示面板在审
| 申请号： | 201911094649.3 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110797413A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 袁宾;冯兵明;周琦;顾维杰;马应海 | 申请（专利权）人： | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司： | 11659 北京远智汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 范坤坤 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、像素驱动电路和显示面板，薄膜晶体管包括衬底；位于衬底上的栅极层、有源层以及位于栅极层和有源层之间的栅极绝缘层；栅极绝缘层包括高介电膜层，栅极绝缘层还包括位于高介电膜层与栅极层之间的第一钝化层和/或位于高介电膜层与有源层之间的第二钝化层。通过本发明的技术方案，有利于增加薄膜晶体管的面积电容以及载流子迁移率，减小薄膜晶体管的尺寸以及栅极绝缘层的厚度，同时有利于减小薄膜晶体管的漏电流，提高薄膜晶体管的偏压稳定性，降低薄膜晶体管的磁滞效应。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 栅极绝缘层 高介电膜 栅极层 源层 钝化层 衬底 减小 像素驱动电路 载流子迁移率 磁滞效应 面积电容 显示面板 漏电流 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的栅极层、有源层以及位于所述栅极层和所述有源层之间的栅极绝缘层；/n所述栅极绝缘层包括高介电膜层，所述栅极绝缘层还包括位于所述高介电膜层与所述栅极层之间的第一钝化层和/或位于所述高介电膜层与所述有源层之间的第二钝化层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司，未经云谷(固安)科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911094649.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
