[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件制作方法，在需要进行晶背减薄的第一半导体中，设置隔离结构，所述隔离结构为第三绝缘层，隔离结构至少位于第一导电层和第二导电层的上方，且其中一个表面与第一半导体的第一衬底朝向第一绝缘层的表面齐平，也即通过深沟槽隔离先将TSV通孔需要刻蚀的区域填充第三绝缘层，采用深沟槽隔离代替浅沟槽隔离，在增强了器件之间的隔离作用基础上，一方面，可以省略高介电常数层的使用，避免高介电常数层带来的较大应力，产生的缺陷，从而简化硅通孔技术工艺；另一方面，能够直接在深沟槽隔离结构的内部制作硅通孔，能够省略了多个工艺步骤，使得硅通孔技术工艺过程更加简单。

主权项

1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：/n提供第一半导体和第二半导体，所述第一半导体包括第一衬底、位于所述第一衬底上的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层内的第一导电层；所述第二半导体包括第二衬底、位于所述第二衬底上的第二绝缘层和位于所述第二绝缘层内的第二导电层；所述第一半导体还包括位于所述第一衬底内的多个隔离结构，所述隔离结构为第三绝缘层，多个所述隔离结构至少包括位于所述第一导电层上方的第一隔离结构和位于所述第二导电层上方的第二隔离结构；多个所述隔离结构的一个表面与所述第一衬底朝向所述第一绝缘层的表面齐平；/n将所述第一半导体和第二半导体键合在一起，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层相接；/n对所述第一衬底进行减薄，至所述隔离结构贯穿减薄后的第一衬底，形成减薄后的第一隔离结构和减薄后的第二隔离结构；/n在所述减薄后的第一隔离结构区域内形成第一开孔，所述第一开孔暴露所述第一导电层，且位于所述减薄后的第一衬底内的所述第一开孔的侧壁与所述减薄后的第一隔离结构的侧壁之间均保留有第三绝缘层；/n在所述减薄后的第二隔离结构区域内形成第二开孔，所述第二开孔暴露所述第二导电层，且位于所述减薄后的第一衬底内的所述第二开孔的侧壁与所述减薄后的第二隔离结构的侧壁之间均保留有第三绝缘层；/n填充导电材料至所述第一开孔和所述第二开孔。/n