[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911050799.4 | 申请日： | 2019-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129146A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 王培勋;周智超;陈仕承;张荣宏;黄瑞乾;林群雄;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 任芸芸;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供半导体装置，其包括半导体鳍状物、隔离结构、外延的源极/漏极结构以及硅化物层。半导体鳍状物位于基板上；隔离结构至少部分地围绕半导体鳍状物；外延的源极/漏极结构，位于半导体鳍状物上，其中外延的源极/漏极结构的延伸部分延伸于隔离结构上；硅化物层位于外延的源极/漏极结构上，且硅化物层连续围绕隔离结构上的外延的源极/漏极结构的延伸部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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