[发明专利]一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法在审
| 申请号： | 201911024849.1 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110729359A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法。薄膜晶体管包括从下至上依次层叠设置的基板、栅极层、介电层、有源层、源漏极层；所述栅极层上表面设有复数个加强部；其中，所述加强部用于增大栅极层上表面的面积，使所述栅极层与所述有源层的有效对接面积增大，减小所述薄膜晶体管的宽度和长度，减小所述薄膜晶体管的寄生电容。本发明通过设置所述加强部与所述有源层的有效对接面积增大，使得所述栅极层所占面积减少同时又不影响有源层的通电性，提高了显示面板的穿透率，减少了显示面板的寄生电容，提高了薄膜晶体管和显示面板的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 栅极层 显示面板 源层 寄生电容 面积增大 有效对接 上表面 减小 面积减少 依次层叠 穿透率 介电层 源漏极 复数 基板 通电 制作 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n基板；/n栅极层，设于所述基板上；所述栅极层上表面设有复数个加强部；/n介电层，设于所述栅极层上且完全包覆所述栅极层；/n有源层，设于所述介电层上且完全包覆所述介电层；以及/n源漏极层，设于所述有源层上且与所述有源层电连接；所述源漏极层包括源电极和漏电极，所述源电极设于所述有源层的一端，所述漏电极设于所述有源层的另一端；/n其中，所述加强部用于增大所述栅极层上表面的面积，使所述栅极层与所述有源层的有效对接面积增大，减小所述薄膜晶体管的宽度和长度，减小所述薄膜晶体管的寄生电容。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911024849.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管及其制造方法
- 下一篇：一种纳米管器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
