[发明专利]一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法在审

专利信息
申请号: 201911024849.1 申请日: 2019-10-25
公开(公告)号: CN110729359A 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 谢华飞 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336
代理公司: 44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司 代理人: 杨艇要
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 栅极层 显示面板 源层 寄生电容 面积增大 有效对接 上表面 减小 面积减少 依次层叠 穿透率 介电层 源漏极 复数 基板 通电 制作
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:

基板;

栅极层,设于所述基板上;所述栅极层上表面设有复数个加强部;

介电层,设于所述栅极层上且完全包覆所述栅极层;

有源层,设于所述介电层上且完全包覆所述介电层;以及

源漏极层,设于所述有源层上且与所述有源层电连接;所述源漏极层包括源电极和漏电极,所述源电极设于所述有源层的一端,所述漏电极设于所述有源层的另一端;

其中,所述加强部用于增大所述栅极层上表面的面积,使所述栅极层与所述有源层的有效对接面积增大,减小所述薄膜晶体管的宽度和长度,减小所述薄膜晶体管的寄生电容。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述加强部呈阵列式排布于所述栅极层上。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述加强部呈柱形、条形、网格形中的任一种。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括

阻挡层,设于所述有源层上;

所述源电极设于所述有源层及所述阻挡层的一端,所述漏电极设于所述有源层及所述阻挡层的另一端。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括

钝化层,设于所述源漏极层上且完全包覆所述钝化层及所述有源层;以及

像素电极,设于所述钝化层上且与所述漏电极电连接。

6.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括步骤:

提供一基板;

在所述基板上制作一层金属膜并图案化处理形成一栅极层;在所述栅极层上表面制作复数个加强部;

在所述栅极层上制作一介电层,所述介电层完全包覆所述栅极层;

在所述介电层上制作一有源层,所述有源层完全包覆所述介电层;以及

在所述有源层上制作一层金属膜并图案化处理形成一源漏极层,所述源漏极层与所述有源层电连接;所述源漏极层包括源电极和漏电极,所述源电极设于所述有源层的一端,所述漏电极设于所述有源层的另一端。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,在所述栅极层上表面制作复数个加强部步骤具体包括:

将通孔超薄氧化铝膜模板设置在所述栅极层一侧,用电子束蒸发或物理气相沉积方式通过所述超薄氧化铝膜模板制作所述加强部,再用氢氧化钠溶液将所述超薄氧化铝膜模板刻蚀去除。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,在所述栅极层上表面制作复数个加强部步骤具体包括:

在所述栅极层上涂覆一光阻层,通过曝光显影在所述光阻层上形成通孔,用电子束蒸发或物理气相沉积在所述通孔内制作所述加强部,再清洗去除所述光阻层。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法,在制作所述有源层步骤之后以及在制作所述源漏极层步骤之前还包括:

在所述有源层上制作一阻挡层;

其中,在制作所述源漏极层步骤中,所述源电极设于所述有源层及所述阻挡层的一端,所述漏电极设于所述有源层及所述阻挡层的另一端。

10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911024849.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top