[发明专利]一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法。薄膜晶体管包括从下至上依次层叠设置的基板、栅极层、介电层、有源层、源漏极层；所述栅极层上表面设有复数个加强部；其中，所述加强部用于增大栅极层上表面的面积，使所述栅极层与所述有源层的有效对接面积增大，减小所述薄膜晶体管的宽度和长度，减小所述薄膜晶体管的寄生电容。本发明通过设置所述加强部与所述有源层的有效对接面积增大，使得所述栅极层所占面积减少同时又不影响有源层的通电性，提高了显示面板的穿透率，减少了显示面板的寄生电容，提高了薄膜晶体管和显示面板的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种顶栅薄膜晶体管的薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法。

背景技术

目前，在薄膜晶体管(TFT)器件中，有源层通过栅极电压调节实现源漏极的导通或断开。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关，栅极与半导体材料的有源层对应设置，在栅极施加电压会吸引有源层的参杂半导体中的电子，随着栅极电压增高，会使半导体中的电子骤然增多，在有源层中形成沟道，从而使得位于有源层两端的源极和漏极导通；通过对栅极施加电压控制形成或者消除沟道，从而允许或者阻碍电子流过。在显示应用中，栅极还具有对有源层遮挡光以减少光对有源层影响的作用。但同时，栅极太宽也会降低薄膜晶体管器件的穿透率并且会增大显示面板的寄生电容，从而降低显示性能。

因此，确有必要来开发一种新型的薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法，来克服现有技术中的缺陷。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管、显示面板及薄膜晶体管的制作方法，通过改变薄膜晶体管的栅极结构，使得在减少栅极所占面积同时又不影响有源层的通电性，提高了显示面板的穿透率，减少了显示面板的寄生电容，提高了薄膜晶体管和显示面板的性能。

为了实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管，其包括从下至上依次层叠设置的基板、栅极层、介电层、有源层、源漏极层。具体地讲，所述栅极层设于所述基板上；所述栅极层上表面设有复数个加强部；所述介电层设于所述栅极层上且完全包覆所述栅极层；所述有源层设于所述介电层上且完全包覆所述介电层；所述源漏极层设于所述有源层上且与所述有源层电连接；所述源漏极层包括源电极和漏电极，所述源电极设于所述有源层的一端，所述漏电极设于所述有源层的另一端；其中，所述加强部用于增大所述栅极层上表面的面积，使所述栅极层与所述有源层的有效对接面积增大，减小所述薄膜晶体管的宽度和长度，减小所述薄膜晶体管的寄生电容。

进一步地，所述加强部呈阵列式排布于所述栅极层上。

进一步地，所述加强部呈柱形、条形、网格形中的任一种。

进一步地，所述薄膜晶体管还包括阻挡层，所述阻挡层设于所述有源层上；所述源电极设于所述有源层及所述阻挡层的一端，所述漏电极设于所述有源层及所述阻挡层的另一端。

进一步地，所述加强部呈阵列式排布于所述栅极层上。

进一步地，所述薄膜晶体管还包括钝化层、像素电极，所述钝化层设于所述源漏极层上且完全包覆所述钝化层及所述有源层；所述像素电极设于所述钝化层上且与所述漏电极电连接。

本发明还提供一种薄膜晶体管的制作方法，其包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上制作一层金属膜并图案化处理形成一栅极层；

在所述栅极层上表面制作复数个加强部；

在所述栅极层上制作一介电层，所述介电层完全包覆所述栅极层；

在所述介电层上制作一有源层，所述有源层完全包覆所述介电层；以及