[发明专利]一种HEMT器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911018210.2 申请日: 2019-10-24
公开(公告)号: CN110931547A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 刘新科;邓煊华;利键;陈勇;王佳乐;胡聪;贺威 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 鲍竹
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明的目的是提供一种HEMT器件及其制备方法,与现有技术相比,本发明的HEMT器件具备高电阻率、高电子迁移率,通过氧离子注入形成高阻氮化镓和Al2O3。比传统器件具有良好的电流密度和低泄漏电流,更高的器件击穿电压,具有良好导热性使器件能在较高温条件下工作。而且通过自支撑衬底材料,解决了现有的外延层晶格失配大,缺陷密度大的问题,改善了界面性能,进一步的提升了HEMT器件的性能、良品率。
搜索关键词: 一种 hemt 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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