[发明专利]蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201911016141.1 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111100641B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 金喆禹;沈由那;李光国;郭宰熏;金荣汎;李宗昊;赵珍耿 | 申请（专利权）人： | SK新技术株式会社;SK株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 蒋洪之;安玉 |
| 地址： | 韩国首*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括磷酸、磷酸酐、下式1表示的硅烷化合物和水：[式1] |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 用于 半导体器件 绝缘 方法 以及 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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