[发明专利]蚀刻组合物、用于蚀刻半导体器件的绝缘层的方法以及用于制备半导体器件的方法

权利要求书

1.一种蚀刻组合物，其包括：

70wt％-95wt％的磷酸；

1wt％-20wt％的从磷酸中除去水而得到的磷酸酐；

0.001wt％-5wt％的下式1表示的硅烷化合物；以及

3wt％-28wt％的水；

[式1]

其中，R¹-R⁶独立地为氢、卤素、取代的或未取代的C₁-C₂₀烃基、C₁-C₂₀烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C₁-C₂₀-烷基)甲硅烷基、磷酰基或氰基，

L为直接键或者C₁-C₃亚烃基，

A为n价基团，

n为1-4的整数。

2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述取代的或未取代的C₁-C₂₀烃基为取代的或未取代的C₁-C₂₀烷基或者取代的或未取代的C₆-C₂₀芳基。

3.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述取代的C₁-C₂₀烃基被卤素取代。

4.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，A为烃基、亚烃基、具有N作为结合位点的基团、具有O作为结合位点的基团、具有S作为结合位点的基团或者具有P作为结合位点的基团。

5.根据权利要求4所述的蚀刻组合物，其中，所述烃基为C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀烯基或C₆-C₂₀芳基。

6.根据权利要求4所述的蚀刻组合物，其中，所述具有N作为结合位点的基团为*-NR¹¹R¹²、*-NR¹³-*、*-NR¹⁴CONR¹⁵-*、*-NR¹⁶CSNR¹⁷-*或者

其中，R¹¹和R¹²独立地为氢、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀氨基烷基或CONH₂，

R¹³-R¹⁷独立地为氢或C₁-C₂₀烷基，

L₁为C₁-C₂₀亚烷基。

7.根据权利要求4所述的蚀刻组合物，其中，所述具有S作为结合位点的基团为*-S-*、*-S-S-*、

8.根据权利要求4所述的蚀刻组合物，其中，所述具有P作为结合位点的基团为

其中，R¹⁸和R¹⁹独立地为氢、C₁-C₂₀烷基、C₆-C₂₀芳基或(C₁-C₂₀)烷基(C₁-C₂₀)烷氧基。