[发明专利]一种石墨烯晶圆的转移方法在审
| 申请号： | 201911005855.2 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110581063A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 彭海琳;刘忠范;阎睿;邓兵;唐际琳;杜音;蔡阿利 | 申请（专利权）人： | 北京石墨烯研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 100095 北京市海淀区苏家*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯晶圆的转移方法，包括：在蓝宝石/金属基底上形成石墨烯晶圆，所述蓝宝石/金属基底通过磁控溅射工艺制得；以及通过电化学鼓泡法将所述石墨烯晶圆自所述金属基底上剥离。本发明一实施方式的方法，提高了石墨烯生长基底的质量，解决了现有鼓泡法转移石墨烯薄膜的破损问题。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 金属基 晶圆 蓝宝石 鼓泡法 磁控溅射工艺 石墨烯薄膜 电化学 破损问题 生长基 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯晶圆的转移方法，包括：/n在蓝宝石/金属基底上形成石墨烯晶圆，所述蓝宝石/金属基底通过磁控溅射工艺制得；以及/n通过电化学鼓泡法将所述石墨烯晶圆自所述金属基底上剥离。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
